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【半導体】中国GARENSEMI、6インチ酸化ガリウム基板の産業化に成功　NCTを追走　中国メディア
2024-03-22 11:05:05
中国のIT情報メディア『集微網』は2024年3月20日付で、中国GARENSEMI（杭州鎵仁半導体）は同日、独自の鋳造法で高品質な6インチの意図的でなくドープされ（unintentionally doped＝UID）かつ導電型の酸化ガリウム（GALLIUM III OXIDE＝β-Ga2O3）単結晶の製造に24年2月に成功し、さらに加工して6インチ酸化ガリウム基板も獲得したと表明したと報じた。

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    【ソース：】TRI