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【半導体】ITRIとTSMC、第3世代MRAMの試作に成功
2022-09-19 13:48:40
台湾経済部（経済産業省に相当）技術処は2022年9月14日付プレスリリースで、同日から始まった半導体の見本市「SEMICON Taiwan 2022」に展示された33の革新的テクノロジーうち、最も注目を集めているのは、台湾工業技術研究院（工研院＝ITRI）とファウンドリ世界最大手、台湾TSMC（台積電）が共同開発した世界最速の第3世代磁気抵抗メモリ（SOT-MRAM=Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory）だと評した。

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    【ソース：】TRI