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【産業動向】グローバルウェーハズと台湾交通大、SiC・GaNで協働
2020-06-24 12:38:32
半導体用シリコンウェハー大手の台湾グローバルウェーハズ（GlobalWafers）は2020年6月22日、化合物半導体研究開発（R＆D）センターの設立や、第3世代の半導体素材である炭化ケイ素（Silicon Carbide＝SiC）、ガリウムナイトライド（gallium nitride＝GaN）等のR&D、生産で台湾交通大学と協働することで合意した。6～8インチSiCやGaN技術の開発や、結晶成長や高性能モジュールに必要な素材の提供を産学共同で推進する。

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    【ソース：】TRI