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【半導体】 3D NAND型フラッシュメモリ、17年は価格下落の圧力向上
2016-08-24 12:01:22
台湾の経済紙『工商時報』は2016年8月23日付で、韓国サムスン電子(Samsung Electronics)、米マイクロン(Micron)、東芝(Toshiba)、米インテル(Intel)、韓国SKハイニックス(SK Hynix)の3D NAND型フラッシュメモリ取り組みの特集記事を掲載。これら大手の生産の能力が量産段階に入る17年、この市場が激しい戦闘状態に入ると評した。

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    【ソース:】TRI